Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 137 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT067N20NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB359.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB384.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB359.23
10 - 99THB323.11
100 - 499THB298.37
500 - 999THB276.60
1000 +THB247.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-130
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPT067N20NM6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

PG-HSOF-8

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

71nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Infineon IPT Series Power Transistor, 200V Maximum Drain Source Voltage, 137A Maximum Continuous Drain Current - IPT067N20NM6ATMA1


This power transistor is a high-current N-channel enhancement device intended for demanding switching applications. Designed for surface-mount assembly in a PG-HSOF-8 package, it handles substantial power and operates across an extended temperature range suited to harsh environments. The device meets industry reliability assessments and environmental restrictions to support robust electronic designs.

Features and Benefits:


• 200V rating enables high-voltage switching capability
• 6.7mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 137A continuous drain current supports heavy loads
• 300W power dissipation manages significant thermal stress
• 71nC typical gate charge delivers predictable switching energy
• 20V gate tolerance permits broad gate-drive choices

Applications


• Suitable for high-power DC-DC converter stages
• Ideal for motor drive and inverter power legs
• Used with synchronous rectification in power supplies
• Can be used for hard-switching topologies in converters
• Appropriate for industrial battery-management systems

What temperature extremes can this device endure in operation?


It operates across a wide range from -55°C up to 175°C, allowing use in environments with high thermal stress.

How is avalanche behaviour assessed for reliability?


Each unit undergoes 100% avalanche testing to verify robustness against transient inductive energy absorption.

Which environmental and packaging standards does it satisfy?


The device complies with J-STD-020 and IEC 61249-2-21 and conforms to RoHS restrictions for material composition.

What mounting and pin configuration should designers expect?


It is supplied in an eight-pin PG-HSOF-8 surface-mount package suitable for automated PCB assembly.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง