Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 331 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG017N12NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-135
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG017N12NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 331 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG017N12NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB501.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB536.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB250.87	THB501.74
20 - 198	THB225.88	THB451.76
200 +	THB208.315	THB416.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-135
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG017N12NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	331A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	120V
	Series	IPT
	Package Type	PG-HSOG-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	113nC
	Maximum Power Dissipation Pd	395W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 331A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 120V
	Series IPT
	Package Type PG-HSOG-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC
	Maximum Power Dissipation Pd 395W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - IPTG017N12NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses for improved performance. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it enables superior switching characteristics. The MOSFET also has very low reverse recovery charge (Qrr), contributing to reduced switching losses. Its high avalanche energy rating ensures robustness under stress, and it operates reliably at a 175°C temperature, making it suitable for demanding and high temperature environments.

Optimized for high frequency switching and synchronous rectification

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor, 331 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG017N12NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง