STMicroelectronics SCT0 Power MOSFET, 60 A, 650 V, 7-Pin HU3PAK SCT027HU65G3AG

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB761.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB814.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 590 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB761.51
10 - 99THB685.31
100 +THB631.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
330-233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT027HU65G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

HU3PAK

Series

SCT0

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

29mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60.4nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

14 mm

Length

18.58mm

Height

3.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง