STMicroelectronics SCT0 Power MOSFET, 60 A, 650 V, 7-Pin HU3PAK SCT027HU65G3AG
- RS Stock No.:
- 330-233
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT027HU65G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB837.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB896.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB837.66 |
| 10 - 99 | THB753.84 |
| 100 + | THB695.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 330-233
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT027HU65G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | SCT0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 18.58mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series SCT0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 18.58mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V, 7-Pin HU3PAK SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Type N-Channel 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics STHU65N1 N channel-Channel Power MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N110DM9AG
- STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT 7-Pin HU3PAK, Surface
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N050DM9AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK