STMicroelectronics STHU65N1 N channel-Channel Power MOSFET, 26 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N110DM9AG
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB140.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 283 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB140.19 |
| 10 - 24 | THB135.85 |
| 25 - 99 | THB133.13 |
| 100 - 499 | THB113.57 |
| 500 + | THB106.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | STHU65N1 | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.95mm | |
| Width | 14.1mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 11.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series STHU65N1 | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.95mm | ||
Width 14.1mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 11.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N050DM9AG
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7
- Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB