STMicroelectronics STHU65N1 N channel-Channel Power MOSFET, 26 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N110DM9AG
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB122.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB131.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB122.61 |
| 10 - 24 | THB118.81 |
| 25 - 99 | THB116.43 |
| 100 - 499 | THB99.32 |
| 500 + | THB93.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | STHU65N1 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 14.1 mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 11.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series STHU65N1 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 14.1 mm | ||
Height 0.95mm | ||
Length 11.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested