STMicroelectronics STHU65N1 N channel-Channel Power MOSFET, 26 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N110DM9AG
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB140.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 125 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB140.19 |
| 10 - 24 | THB135.85 |
| 25 - 99 | THB133.13 |
| 100 - 499 | THB113.57 |
| 500 + | THB106.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU65N110DM9AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | STHU65N1 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 11.9mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series STHU65N1 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 11.9mm | ||
Height 0.95mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N050DM9AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7
- Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-220 IPAN60R360PFD7SXKSA1