STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N050DM9AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*

THB130,176.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB139,290.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
600 +THB216.96THB130,176.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
481-133
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STHU65N050DM9AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

HU3PAK

Series

STHU65

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

N-Channel

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.6mm

Width

14.1 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

11.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is built on cutting-edge super-junction MDmesh DM9 technology, Ideal for medium to high voltage applications. It offers ultra-low RDS(on) per area and integrates a fast-recovery diode. The Advanced silicon-based DM9 process features a multi-drain structure, enhancing overall device performance. With very low recovery charge (Qrr), short recovery time (trr), and minimal RDS(on), this fast-switching MOSFET is perfectly suited for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Low gate charge and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

AEC-Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง