STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface

RS Stock No.:: 285-638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGHU30M65DF2AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB135.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 595 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB135.27
10 - 99	THB121.90
100 +	THB112.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 285-638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGHU30M65DF2AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	84A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	441W
	Number of Transistors	1
	Configuration	Dual Gate
	Package Type	HU3PAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	3.6mm
	Length	11.9mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 84A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 441W
	Number of Transistors 1
	Configuration Dual Gate
	Package Type HU3PAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 3.6mm
	Length 11.9mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STGHU30M65DF2AG

This STMicroelectronics device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C

6 μs of minimum short circuit withstand time

Tight parameter distribution

Safer paralleling

Low thermal resistance

Soft and very fast recovery antiparallel diode

Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง