STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface Mount

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB135.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 595 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB135.27
10 - 99THB121.90
100 +THB112.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
285-638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGHU30M65DF2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

84 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

441 W

Package Type

HU3PAK

Configuration

Dual Gate

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

This STMicroelectronics device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C
6 μs of minimum short circuit withstand time
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง