STMicroelectronics SCT0 MOSFET, 90 A, 1200 V, 7-Pin HU3PAK SCT019HU120G3AG

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,344.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,439.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,344.89
10 - 99THB1,210.30
100 +THB1,116.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
330-230
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT019HU120G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

HU3PAK

Series

SCT0

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.2mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

111.2nC

Forward Voltage Vf

3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง