STMicroelectronics 650 V 30 A Schottky Diode SiC Schottky 7-Pin HU3PAK STPSC30G065L2Y
- RS Stock No.:
- 719-662
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC30G065L2Y
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*
THB144,748.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB154,880.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 600 + | THB241.247 | THB144,748.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-662
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC30G065L2Y
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Schottky Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 30A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Silicon Carbide Schottky Diode | |
| Series | STPSC | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 7 | |
| Peak Reverse Current Ir | 1200μA | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 1100A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.6mm | |
| Width | 14.1 mm | |
| Length | 11.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Schottky Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type HU3PAK | ||
Maximum Continuous Forward Current If 30A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Silicon Carbide Schottky Diode | ||
Series STPSC | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 7 | ||
Peak Reverse Current Ir 1200μA | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 1100A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.6mm | ||
Width 14.1 mm | ||
Length 11.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
No reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge current capability
ECOPACK2 compliant component
SMD with TOP side cooling package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 650 V 30 A Schottky Diode SiC Schottky 7-Pin HU3PAK STPSC30G065L2Y
- STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC10G065DY
- STMicroelectronics 650 V 20 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC20G065DY
- Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C12ET07S2L-M3
- Vishay 650 V 8 A Rectifier & Schottky Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C08ET07S2L-M3
- ROHM 650 V 12 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-220ACGE SCS312AGC16
- Nexperia 650 V 10 A Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 PSC1065KQ
- ROHM 650 V 20 A Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK SCS220ANHRTRL