Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 823-5538
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR193E6327HTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)**

THB4.175

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4.467

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

700 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 +	THB4.175	THB104.375

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 823-5538
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR193E6327HTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Transistor Type	NPN
Maximum DC Collector Current	80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage	12 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Maximum Power Dissipation	580 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Collector Base Voltage	20 V
Maximum Emitter Base Voltage	2 V
Maximum Operating Frequency	8 GHz
Pin Count	3
Number of Elements per Chip	1
Dimensions	2.9 x 1.3 x 1mm
Minimum Operating Temperature	0 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

RF Bipolar Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง