Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343

RS Stock No.:: 259-1415
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-482
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB148.775

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB159.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 8,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB5.951	THB148.78
50 - 75	THB5.772	THB144.30
100 - 225	THB5.541	THB138.53
250 - 975	THB5.264	THB131.60
1000 +	THB4.948	THB123.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1415
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-482
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Power Dissipation Pd	580mW
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Height	0.9mm
	Width	2 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	BFP193W
	Length	2.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Power Dissipation Pd 580mW
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Height 0.9mm
	Width 2 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series BFP193W
	Length 2.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFP193WH6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor is used for various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

Pb-free (RoHS compliant) package

Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง