Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

RS Stock No.:: 259-1456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB177.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB189.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,275 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB7.08	THB177.00
50 - 75	THB6.726	THB168.15
100 - 225	THB6.053	THB151.33
250 - 975	THB5.145	THB128.63
1000 +	THB4.116	THB102.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1456
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR193WH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-323
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Maximum Power Dissipation Pd	580mW
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Length	2.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	BFR193W
	Width	2 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 80mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-323
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Transistor Polarity NPN
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Maximum Power Dissipation Pd 580mW
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Length 2.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series BFR193W
	Width 2 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFR193WH6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

Infineon BFR193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-323

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง