Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 12 V, 3-Pin TSFP
- RS Stock No.:
- 216-8359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR193FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB14,064.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15,048.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB4.688 | THB14,064.00 |
| 6000 - 9000 | THB4.547 | THB13,641.00 |
| 12000 + | THB4.411 | THB13,233.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-8359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR193FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 80mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 12V | |
| Package Type | TSFP | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 580mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Series | BFR193F | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 80mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 12V | ||
Package Type TSFP | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 580mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Series BFR193F | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon BFR series is a robust low noise broadband pre-matched RF bipolar transistor. It is suitable for various applications like cellular and Cordless phones, DECT, tuners, FM, and RF modems.
Pb-free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFR193FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 12 V, 3-Pin TSFP
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSFP-3-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFR380FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSFP-3-1
- Infineon BFP193E6327HTSA1 Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon BFR193E6327HTSA1 Bipolar Transistor 12 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343