Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 259-1431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB32,205.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,458.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB10.735 | THB32,205.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 80mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 10V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 10V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 30GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 50 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Series | BFP540 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 80mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 10V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 10V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 30GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 50 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Length 2mm | ||
Height 0.9mm | ||
Series BFP540 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor for ESD protected high gain low noise amplifier. It has excellent ESD performance typical Value 1000 V (HBM).
Outstanding Gms 21.5 dB
Noise figure F 0.9 dB
Gold metallization for high reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 80 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343