Infineon RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 219-5952
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- BF771E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB15,159.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,221.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.053 | THB15,159.00 |
| 6000 - 6000 | THB4.858 | THB14,574.00 |
| 9000 + | THB4.797 | THB14,391.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 219-5952
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- BF771E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 80mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 580mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | ESD sensitive device, RoHS | |
| Series | BF771 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 80mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 580mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals ESD sensitive device, RoHS | ||
Series BF771 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor is used for modulators and amplifiers in TV and VCR tuners.
Pb-free (RoHS compliant)
Qualified according AEC Q101
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BF771E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 20 V SOT-323
- Infineon BFP193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 20 V SOT-343
- Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 12 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 10 V SOT-343
- Infineon BFP540FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 10 V SOT-343
- Infineon BFR380FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 15 V TSFP-3-1
- Infineon BFR193FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 12 V, 3-Pin TSFP