Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 4.2 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB245.525

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB262.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,675 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB9.821THB245.53
50 - 75THB9.633THB240.83
100 - 225THB9.007THB225.18
250 - 975THB8.32THB208.00
1000 +THB8.153THB203.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7301
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP740ESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

45mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4.2V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Npn Rf Heterojunction Bipolar Transistor (Hbt)

Maximum Collector Base Voltage VCBO

4.9V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

0.5V

Minimum DC Current Gain hFE

160

Maximum Power Dissipation Pd

160mW

Maximum Transition Frequency ft

45GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

BFP740ESD

Automotive Standard

No

The Infineon NPN RF bipolar transistor is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection. It is suitable for multimedia applications such as portable TV, CATV and FM radio and ISM applications like RKE, AMR and ZigBee, as well as for emerging wireless applications.

High gain

Robustness

High end RF performance

Suitable for wireless communications

Suitable for satellite communication systems

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง