Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 219-5954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BF776H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB17,859.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,110.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.953 | THB17,859.00 |
| 6000 - 6000 | THB5.724 | THB17,172.00 |
| 9000 + | THB5.651 | THB16,953.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-5954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BF776H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 180 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 46GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | Pb-Free (RoHS) | |
| Series | BF776 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 180 | ||
Maximum Transition Frequency ft 46GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals Pb-Free (RoHS) | ||
Series BF776 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high performance NPN bipolar RF transistor is a high performance low noise amplifier with low minimum noise figure of typ. 0.8 dB at 1.8 GHz. It is used for a wide range of non automotive applications such as WLAN, WiMax, UWB, Bluetooth, GPS, SDARs, DAB, LNB, UMTS/LTE and ISM bands.
Easy to use standard package with visible leads
Pb-free (RoHS compliant) package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BF776H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP640FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon BFP520FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343