Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB24,060.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,740.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB8.02THB24,060.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1440
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP640H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

50mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4.1V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Minimum DC Current Gain hFE

110

Maximum Power Dissipation Pd

200mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Transition Frequency ft

42GHz

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Width

2.1 mm

Height

0.9mm

Length

2mm

Series

BFP

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.

Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable

2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits

High maximum RF input power of 21 dBm

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed