Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 259-1440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB24,060.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,740.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB8.02 | THB24,060.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4.1V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 2.1 mm | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.1V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP | ||
Height 0.9mm | ||
Width 2.1 mm | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.
Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable
2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
High maximum RF input power of 21 dBm
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP640H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP520FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BF776H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343