Infineon BFP740FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB312.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB334.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 875 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB12.51THB312.75
50 - 75THB12.134THB303.35
100 - 225THB11.649THB291.23
250 - 975THB11.066THB276.65
1000 +THB10.403THB260.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
259-1450
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP740FH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

45mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

13V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Minimum DC Current Gain hFE

160

Maximum Power Dissipation Pd

160mW

Transistor Polarity

NPN

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

44GHz

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Height

0.55mm

Length

1.4mm

Width

0.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFP

Automotive Standard

No

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.

Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA

High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง