Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 259-1449
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP740FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB27,219.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,124.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB9.073 | THB27,219.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1449
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP740FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 45mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 13V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 44GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 0.8 mm | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.55mm | |
| Length | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 45mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 13V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Transition Frequency ft 44GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 0.8 mm | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.55mm | ||
Length 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.
Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP740FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V SOT-343
- Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V SOT-343
- Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V SOT-343
- Infineon BFP650FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V SOT-343
- Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP650H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 13 V TSFP-4-1
- Infineon BFR35APE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin SOT-23
