Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB312.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB333.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 2,950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB12.484THB312.10
50 - 75THB12.11THB302.75
100 - 225THB11.625THB290.63
250 - 975THB11.044THB276.10
1000 +THB10.381THB259.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
259-1448
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP740FESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

45mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

13V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

44GHz

Minimum DC Current Gain hFE

160

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

160mW

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Series

BFP

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.55mm

Width

0.8 mm

Length

1.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.

Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA

High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed