Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB394.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB422.42

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB15.792THB394.80
50 - 75THB15.318THB382.95
100 - 225THB14.705THB367.63
250 - 975THB13.97THB349.25
1000 +THB13.132THB328.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
259-1448
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP740FESDH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

45mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

13V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Maximum Power Dissipation Pd

160mW

Maximum Transition Frequency ft

44GHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

160

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Width

800μm

Series

BFP

Height

550μm

Standards/Approvals

RoHS

Length

1.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.

Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA

High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง