Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
259-1451
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP740H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

45mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4.2V

Package Type

TSFP-4-1

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Maximum Power Dissipation Pd

44mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

47GHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

160

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2mm

Series

BFP

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) with an integrated ESD protection. It is unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits.

NFmin 0.6 dB at 2.4 GHz and 0.8 dB at 5.5 GHz, 3V, 6 mA

High gain Gms 26 dB at 2.4 GHz and Gma 20.5 dB at 5.5 GHz, 3V, 25 mA

OIP3 23.5 dBm at 5.5 GHz, 25 mA

Low profile and small form factor leadless package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง