Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

RS Stock No.:: 259-1460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFS483H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB119.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,820 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB11.959	THB119.59
50 - 90	THB11.60	THB116.00
100 - 240	THB11.136	THB111.36
250 - 990	THB10.579	THB105.79
1000 +	THB9.944	THB99.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFS483H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	450mW
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Pin Count	6
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	BFS
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	2.1mm
	Height	0.9mm
	Width	2 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 450mW
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Transistor Polarity NPN
	Pin Count 6
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series BFS
	Standards/Approvals RoHS
	Length 2.1mm
	Height 0.9mm
	Width 2 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFS483H6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง