Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

RS Stock No.:: 259-1460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFS483H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB119.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

320 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB11.959	THB119.59
50 - 90	THB11.60	THB116.00
100 - 240	THB11.136	THB111.36
250 - 990	THB10.579	THB105.79
1000 +	THB9.944	THB99.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFS483H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	450mW
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	6
	Length	2.1mm
	Height	0.9mm
	Series	BFS
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 450mW
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 6
	Length 2.1mm
	Height 0.9mm
	Series BFS
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFS483H6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง