Infineon RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB348.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB372.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 7,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB13.92THB348.00
50 - 75THB13.64THB341.00
100 - 225THB12.777THB319.43
250 - 975THB11.774THB294.35
1000 +THB11.542THB288.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7309
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFS481H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

6

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

BFS481

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Halogen free

Easy to use

Pb free package

RoHS compliant

With visible leads

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง