Infineon RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 273-7309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFS481H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB348.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB372.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 7,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB13.92 | THB348.00 |
| 50 - 75 | THB13.64 | THB341.00 |
| 100 - 225 | THB12.777 | THB319.43 |
| 250 - 975 | THB11.774 | THB294.35 |
| 1000 + | THB11.542 | THB288.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFS481H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 6 | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Series | BFS481 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 6 | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Series BFS481 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
