Infineon RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB29,070.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,110.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB9.69THB29,070.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1459
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFS483H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

6

Width

2 mm

Length

2.1mm

Height

0.9mm

Series

BFS

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA.

Pb-free (RoHS compliant) package

Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง