Infineon BFP183WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 273-7295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP183WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB15,486.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,569.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 12,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB5.162 | THB15,486.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP183WH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFP183W | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFP183W | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon RF Transistor designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This silicon RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Halogen free
Pb free package
RoHS compliant
Available with visible leads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP193WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP196WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFR183E6327HTSA1 Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-23