Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB37,341.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,954.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB12.447THB37,341.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7308
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFS481H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

6

Series

BFS481

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.

Halogen free

Easy to use

Pb free package

RoHS compliant

With visible leads

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง