Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 258-6996
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR183E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB13,404.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,343.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 9,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | THB4.468 | THB13,404.00 |
| 9000 - 42000 | THB4.08 | THB12,240.00 |
| 45000 + | THB3.788 | THB11,364.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-6996
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR183E6327HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BFR183 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BFR183 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications
Pb free RoHS compliant package
VCEO max is 12 V