Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 258-6996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR183E6327HTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,404.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,343.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 6000	THB4.468	THB13,404.00
9000 - 42000	THB4.08	THB12,240.00
45000 +	THB3.788	THB11,364.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-6996
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFR183E6327HTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	20V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	450mW
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Series	BFR183
	Height	1mm
	Width	2.4 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 65mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 450mW
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Series BFR183
	Height 1mm
	Width 2.4 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFR183E6327HTSA1

The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง