MPN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 919-4334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7288DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB75,555.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB80,844.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

กำลังจะเลิกผลิต

9,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB25.185	THB75,555.00
6000 - 9000	THB24.429	THB73,287.00
12000 +	THB23.697	THB71,091.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7288DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	15.6W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Width	5 mm
	Length	5.99mm
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 15.6W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Width 5 mm
	Length 5.99mm
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง