Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7288DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
818-1390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI7288DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Width

5mm

Length

5.99mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง