Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, -60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB28,020.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,970.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 12,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB9.34THB28,020.00
6000 - 9000THB9.06THB27,180.00
12000 +THB8.788THB26,364.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-0262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2309CDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-60V

Series

Si2309CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Si2309CDS Series MOSFET, -60V Drain Source Voltage, 1.2A Continuous Drain Current - SI2309CDS-T1-GE3


This p-channel MOSFET is a compact surface-mount transistor designed for switching and load-control tasks in small-footprint electronics. It operates as an enhancement-mode device suitable for low- to moderate-current applications where a P-channel topology is required. The package and materials support routine board-level assembly and use across a wide ambient temperature span.

Features and Benefits:


• Low on-resistance 345mΩ reduces conduction losses
• 60V drain rating enables higher-voltage switching
• Continuous drain current 1.2A supports modest load currents
• Gate charge 2.7nC allows faster switching transitions
• Power dissipation 1.7W manages thermal load under normal use

Applications


• Suitable for handheld device high-side switching
• Ideal for battery protection and reverse-current blocking
• Used with power-management circuits in consumer electronics
• Can be used for signal-level load switching in control boards

What temperature range can it tolerate during operation?


It is specified to function between -55°C and 150°C, covering common industrial and consumer thermal environments.

How many pins and what mounting style does it use?


It has three terminals and is supplied in a surface-mount SOT-23 package for automated assembly.

What gate voltage limits should be observed in a design?


The gate-source voltage must not exceed ±20V to avoid damage to the gate oxide.

Are there any restrictions on automotive use?


It is not classified as an automotive-grade device, so designs requiring automotive approval should consider alternative qualified components.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง