Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB27,489.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,412.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 12,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB9.163THB27,489.00
6000 - 9000THB8.888THB26,664.00
12000 +THB8.621THB25,863.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-0262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2309CDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2309CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.4mm

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Si2309CDS Series MOSFET, -60V Drain Source Voltage, 1.2A Continuous Drain Current - SI2309CDS-T1-GE3


This p‑channel MOSFET is a surface‑mount transistor designed for switching and control tasks in Compact electronic assemblies. It operates as an enhancement‑mode device suitable for low‑ to medium‑current circuits, offering a balance of voltage handling and thermal endurance for industrial applications.

Features and Benefits:


• -60V maximum Vds for high‑voltage switching capability • 1.2A continuous drain current for moderate load handling • 345mΩ Rds(on) for predictable conduction losses • 2.7nC typical gate charge for efficient gate drive • 1.7W power dissipation supporting thermal‑budget planning • -55°C to 150°C operating range for wide‑temperature environments

Applications


• Suitable for load switching in automation control modules • Ideal for power‑rail reverse‑polarity protection circuits • Used with battery management and power distribution boards • Can be used for level‑shifting and small‑signal power stages

What package type is used for Compact board layouts?


It is supplied in a SOT‑23 package configured for three‑pin surface mounting, facilitating dense PCB assembly.

How does the device handle gate drive requirements?


The gate may be driven within a ±20V range relative to source, allowing compatibility with common control voltages while limiting gate stress.

What thermal considerations should I allow for in design?


With maximum power dissipation of 1.7W, board copper and thermal vias should be sized to manage junction temperature under load within the -55°C to 150°C specified range.

Are there environmental or material restrictions to note?


The component conforms to RoHS requirements, indicating restricted hazardous substances are controlled in its manufacture.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง