Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, -60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 919-0262
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB28,020.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,970.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 12,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB9.34 | THB28,020.00 |
| 6000 - 9000 | THB9.06 | THB27,180.00 |
| 12000 + | THB8.788 | THB26,364.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-0262
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | Si2309CDS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 345mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series Si2309CDS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 345mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si2309CDS Series MOSFET, -60V Drain Source Voltage, 1.2A Continuous Drain Current - SI2309CDS-T1-GE3
This p-channel MOSFET is a compact surface-mount transistor designed for switching and load-control tasks in small-footprint electronics. It operates as an enhancement-mode device suitable for low- to moderate-current applications where a P-channel topology is required. The package and materials support routine board-level assembly and use across a wide ambient temperature span.
Features and Benefits:
• Low on-resistance 345mΩ reduces conduction losses
• 60V drain rating enables higher-voltage switching
• Continuous drain current 1.2A supports modest load currents
• Gate charge 2.7nC allows faster switching transitions
• Power dissipation 1.7W manages thermal load under normal use
• 60V drain rating enables higher-voltage switching
• Continuous drain current 1.2A supports modest load currents
• Gate charge 2.7nC allows faster switching transitions
• Power dissipation 1.7W manages thermal load under normal use
Applications
• Suitable for handheld device high-side switching
• Ideal for battery protection and reverse-current blocking
• Used with power-management circuits in consumer electronics
• Can be used for signal-level load switching in control boards
• Ideal for battery protection and reverse-current blocking
• Used with power-management circuits in consumer electronics
• Can be used for signal-level load switching in control boards
What temperature range can it tolerate during operation?
It is specified to function between -55°C and 150°C, covering common industrial and consumer thermal environments.
How many pins and what mounting style does it use?
It has three terminals and is supplied in a surface-mount SOT-23 package for automated assembly.
What gate voltage limits should be observed in a design?
The gate-source voltage must not exceed ±20V to avoid damage to the gate oxide.
Are there any restrictions on automotive use?
It is not classified as an automotive-grade device, so designs requiring automotive approval should consider alternative qualified components.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET -60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
- Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3
- Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3
- Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3
