Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, -60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB177.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB189.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 13,560 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB17.719THB177.19
750 - 1490THB17.277THB172.77
1500 +THB17.012THB170.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3250
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2309CDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-60V

Package Type

SOT-23

Series

Si2309CDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Si2309CDS Series MOSFET, -60V Drain Source Voltage, 1.2A Continuous Drain Current - SI2309CDS-T1-GE3


This p‑channel MOSFET is a surface‑mount transistor designed for switching and control tasks in Compact electronic assemblies. It operates as an enhancement‑mode device suitable for low‑ to medium‑current circuits, offering a balance of voltage handling and thermal endurance for industrial applications.

Features and Benefits:


• -60V maximum Vds for high‑voltage switching capability • 1.2A continuous drain current for moderate load handling • 345mΩ Rds(on) for predictable conduction losses • 2.7nC typical gate charge for efficient gate drive • 1.7W power dissipation supporting thermal‑budget planning • -55°C to 150°C operating range for wide‑temperature environments

Applications


• Suitable for load switching in automation control modules • Ideal for power‑rail reverse‑polarity protection circuits • Used with battery management and power distribution boards • Can be used for level‑shifting and small‑signal power stages

What package type is used for Compact board layouts?


It is supplied in a SOT‑23 package configured for three‑pin surface mounting, facilitating dense PCB assembly.

How does the device handle gate drive requirements?


The gate may be driven within a ±20V range relative to source, allowing compatibility with common control voltages while limiting gate stress.

What thermal considerations should I allow for in design?


With maximum power dissipation of 1.7W, board copper and thermal vias should be sized to manage junction temperature under load within the -55°C to 150°C specified range.

Are there environmental or material restrictions to note?


The component conforms to RoHS requirements, indicating restricted hazardous substances are controlled in its manufacture.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง