Infineon Single HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 179 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR8314TRPBF
- RS Stock No.:
- 915-5027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR8314TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB435.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB465.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB43.53 | THB435.30 |
| 500 - 990 | THB42.44 | THB424.40 |
| 1000 + | THB41.789 | THB417.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 915-5027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR8314TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 179A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 179A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.39mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8 AUIRF7103QTR
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF8734TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8