Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 215-2582
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB89,632.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95,908.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB22.408	THB89,632.00
8000 - 12000	THB21.736	THB86,944.00
16000 +	THB21.084	THB84,336.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2582
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Width 4 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7311TRPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With this improvement multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared for Wave soldering techniques.

Generation V technology

Ultra low on resistance

Surface mount

Fully avalanche rated

Dual N-channel MOSFET

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง