Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF8734TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB541.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB579.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 980THB27.071THB541.42
1000 - 1980THB26.395THB527.90
2000 +THB25.989THB519.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2588
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF8734TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET Power MOSFET series has 30V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application as Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power and Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems.

Low Gate Charge

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

100% Tested for RG

Lead-Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง