Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF

RS Stock No.:: 215-2583
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-415
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB806.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB863.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 980	THB40.336	THB806.72
1000 - 1980	THB39.327	THB786.54
2000 +	THB38.723	THB774.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2583
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-415
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7311TRPBF

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With this improvement multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared for Wave soldering techniques.

Generation V technology

Ultra low on resistance

Surface mount

Fully avalanche rated

Dual N-channel MOSFET

Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง