Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB733.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB784.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 980THB36.669THB733.38
1000 - 1980THB35.752THB715.04
2000 +THB35.202THB704.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2583
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7311TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

0.72V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

1

Distrelec Product Id

304-39-415

Automotive Standard

No

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With this improvement multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared for Wave soldering techniques.

Generation V technology

Ultra low on resistance

Surface mount

Fully avalanche rated

Dual N-channel MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง