Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8 AUIRF7103QTR
- RS Stock No.:
- 222-4608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7103QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB1,000.87
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,070.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,270 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB100.087 | THB1,000.87 |
| 20 - 90 | THB97.582 | THB975.82 |
| 100 - 240 | THB95.143 | THB951.43 |
| 250 - 490 | THB92.765 | THB927.65 |
| 500 + | THB90.445 | THB904.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7103QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 5mm | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF8734TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF