Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8 AUIRF7103QTR
- RS Stock No.:
- 222-4608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7103QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB65.12
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB1,301.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,392.21
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,080 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | THB130.113 | THB1,301.13 | - |
| 20 - 90 | THB126.857 | THB1,268.57 | THB65.12 |
| 100 - 240 | THB123.686 | THB1,236.86 | THB642.70 |
| 250 - 490 | THB120.595 | THB1,205.95 | THB2,379.50 |
| 500 + | THB117.579 | THB1,175.79 | THB6,267.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7103QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Width 4mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF8910TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7311TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF8734TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 2 N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC