Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
222-4607
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF7103QTR
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

50V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Advanced Planar Technology

Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance

Logic Level Gate Drive

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง