Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 215-2589
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF8910TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB60,336.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB64,560.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB15.084	THB60,336.00
8000 - 12000	THB14.631	THB58,524.00
16000 +	THB14.193	THB56,772.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2589
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF8910TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.4nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.4nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF8910TRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 20V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application as dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.

Lead-Free

Low RDS(on)

Ultra-Low Gate Impedance

Dual N-Channel MOSFET

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง