N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

RS Stock No.:: 914-0223
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R1K0CEATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB44.864

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB48.004

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2340 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 620	THB44.864	THB448.64
630 - 1240	THB43.743	THB437.43
1250 +	THB43.071	THB430.71

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 914-0223
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R1K0CEATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.7 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Series	CoolMOS™ CE
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	950 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	83 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ 10 V
Length	6.73mm
Width	6.22mm
Transistor Material	Si
Height	2.41mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง