Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 2.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,230.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,317.075

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
75 - 75THB16.412THB1,230.90
150 - 225THB16.056THB1,204.20
300 +THB15.699THB1,177.43

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
217-2576
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPS60R3K4CEAKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

2.4 mm

Height

9.82mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง