Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 214-9044
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB29,712.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,792.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB11.885 | THB29,712.50 |
| 5000 - 7500 | THB11.528 | THB28,820.00 |
| 10000 + | THB11.182 | THB27,955.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9044
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Easy to use/drive
Very high commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD65R1K0CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS65R1K0CEAKMA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252