Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 214-4395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB56,217.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60,152.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB22.487 | THB56,217.50 |
| 5000 - 7500 | THB21.812 | THB54,530.00 |
| 10000 + | THB21.158 | THB52,895.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.42 mm | |
| Length | 6.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.42 mm | ||
Length 6.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.
It is RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V P, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R1K4CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252