Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB56,217.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB60,152.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB22.487THB56,217.50
5000 - 7500THB21.812THB54,530.00
10000 +THB21.158THB52,895.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4395
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R1K4CEATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง