Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB56,635.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB60,600.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB22.654THB56,635.00
5000 - 7500THB21.974THB54,935.00
10000 +THB21.315THB53,287.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-8015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R1K0CEATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):
MY

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5.7A Maximum Continuous Drain Current, 83W Maximum Power Dissipation - IPD80R1K0CEATMA1


This MOSFET provides solutions for power management and general electronics, leveraging Advanced CoolMOS CE technology with high voltage capabilities up to 800V. It boasts high efficiency and low on-state resistance, optimising design while enhancing reliability.

Features & Benefits


• Increased power density allows for more Compact system designs

• Reduced cooling requirements lead to cost savings for systems

• Lower operating temperatures enhance system reliability

• High Peak current capability supports rigorous applications

• Reliable dv/dt rating ensures stability under Rapid voltage changes

• Complies with RoHS standards for environmentally sound use

Applications


• Used in LED lighting solutions for retrofit installations

• Suitable for QR flyback topology in power supplies

• Effective within automotive power distribution systems

• Ideal for various high-voltage industrial

How does the MOSFET enhance system performance in power management?


It improves power density and reduces thermal requirements, leading to enhanced efficiency and lower energy losses during operation.

What are the benefits of using this device in LED lighting applications?


It delivers dependable performance with less heat generation, contributing to longevity and stability in lighting systems.

Is this compatible with high-frequency applications?


Yes, its low gate charge and high Peak current capabilities make it apt for high-frequency operations, ensuring minimal switching losses.

What is the maximum continuous drain current for this device?


The maximum continuous drain current is rated at 5.7A, making it suitable for various power-intensive applications.

What temperature range can it operate within?


It operates effectively between -55°C and +150°C, offering versatility across different environments.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง