Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 165-8015
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K0CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB56,635.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60,600.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB22.654 | THB56,635.00 |
| 5000 - 7500 | THB21.974 | THB54,935.00 |
| 10000 + | THB21.315 | THB53,287.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-8015
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K0CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS CE | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5.7A Maximum Continuous Drain Current, 83W Maximum Power Dissipation - IPD80R1K0CEATMA1
This MOSFET provides solutions for power management and general electronics, leveraging Advanced CoolMOS CE technology with high voltage capabilities up to 800V. It boasts high efficiency and low on-state resistance, optimising design while enhancing reliability.
Features & Benefits
• Increased power density allows for more Compact system designs
• Reduced cooling requirements lead to cost savings for systems
• Lower operating temperatures enhance system reliability
• High Peak current capability supports rigorous applications
• Reliable dv/dt rating ensures stability under Rapid voltage changes
• Complies with RoHS standards for environmentally sound use
Applications
• Used in LED lighting solutions for retrofit installations
• Suitable for QR flyback topology in power supplies
• Effective within automotive power distribution systems
• Ideal for various high-voltage industrial
How does the MOSFET enhance system performance in power management?
It improves power density and reduces thermal requirements, leading to enhanced efficiency and lower energy losses during operation.
What are the benefits of using this device in LED lighting applications?
It delivers dependable performance with less heat generation, contributing to longevity and stability in lighting systems.
Is this compatible with high-frequency applications?
Yes, its low gate charge and high Peak current capabilities make it apt for high-frequency operations, ensuring minimal switching losses.
What is the maximum continuous drain current for this device?
The maximum continuous drain current is rated at 5.7A, making it suitable for various power-intensive applications.
What temperature range can it operate within?
It operates effectively between -55°C and +150°C, offering versatility across different environments.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K0CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V P, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 800 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R1K4CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252
