Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
214-9104
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPS65R1K0CEAKMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.3nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

37W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Width

2.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง