Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 913-4048
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML0060TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB15,408.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,488.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

66,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB5.136	THB15,408.00
6000 - 9000	THB4.982	THB14,946.00
12000 +	THB4.832	THB14,496.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-4048
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML0060TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	92mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.5nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 92mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.5nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.02mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 2.7A Maximum Continuous Drain Current - IRLML0060TRPBF

This MOSFET is a compact N-channel enhancement device designed for low-voltage switching and power management in surface-mount applications. It operates across a wide temperature span suitable for demanding thermal environments and is intended for footprint-conscious circuit designs where efficient conduction and controlled gate drive are required.

Features and Benefits:

• Low on-resistance 92mΩ reduces conduction losses
• Handles continuous drain current 2.7A for moderate loads
• Rated drain-source voltage 60V for robust voltage headroom
• Typical gate charge 2.5nC enables fast, efficient switching
• Maximum power dissipation 1.25W limits thermal stress
• Gate-source tolerance 16V permits flexible drive voltages

Applications

• Suitable for DC-DC converters in compact electronics
• Ideal for high-side or low-side switching in controllers
• Used for load switching in battery-powered systems
• Can be used for motor-driver front end in small actuators
• Useful in power-path management on dense PCBs

What thermal extremes can it tolerate during operation?

It is specified to operate between -55°C and 150°C, allowing use in both cold-start and high-temperature environments without derating the electrical specification beyond standard guidelines.

How does the device behave under limited gate drive amplitude?

With a maximum gate-source rating of 16V and typical forward voltage around 1.3V, it can be driven from common logic-level drivers while maintaining controlled conduction characteristics.

What mounting considerations are necessary for effective cooling?

As a SOT-23 surface-mount device with 1.25W maximum dissipation, thermal performance depends on PCB copper area and thermal vias

expanding copper around the pad improves heat spreading.

How does its switching suitability relate to gate charge?

The modest gate charge of 2.5nC minimises drive energy and allows faster transitions with lower gate-driver demand, which is beneficial for switching applications with limited drive capability.