IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

RS Stock No.:: 875-2500
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MMIX1T550N055T2
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,864.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,994.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 4	THB1,864.46
5 - 9	THB1,817.86
10 +	THB1,789.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 875-2500
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: MMIX1T550N055T2
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	550A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SMPD
	Series	GigaMOS, HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	24
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	595nC
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	23.25mm
	Length	25.25mm
	Height	5.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 550A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SMPD
	Series GigaMOS, HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 24
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 595nC
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 23.25mm
	Length 25.25mm
	Height 5.7mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง