IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 20 ชิ้น)*

THB30,956.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,123.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
20 - 20THB1,547.821THB30,956.42
40 - 60THB1,501.386THB30,027.72
80 +THB1,456.345THB29,126.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4794
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MMIX1T550N055T2
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20, +20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

23.25mm

Standards/Approvals

No

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง