IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2
- RS Stock No.:
- 168-4794
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1T550N055T2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 40 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 20 ชิ้น)*
THB30,956.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB33,123.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 20 | THB1,547.821 | THB30,956.42 | - |
| 40 - 60 | THB1,501.386 | THB30,027.72 | 3% |
| 80 + | THB1,456.345 | THB29,126.90 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4794
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1T550N055T2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 550A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | GigaMOS, HiperFET | |
| Package Type | SMPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 595nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 25.25mm | |
| Height | 5.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 23.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 550A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series GigaMOS, HiperFET | ||
Package Type SMPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 595nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 25.25mm | ||
Height 5.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 23.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS GigaMOS 550 A 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2
- IXYS GigaMOS 600 A 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2
- IXYS GigaMOS 500 A 24-Pin SMPD MMIX1F520N075T2
- IXYS Single GigaMOS 132 A 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T
- IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T