- RS Stock No.:
- 168-4578
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN360N15T2
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
114 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
ราคา / Price Each (In a Tube of 10)
THB2,162.385
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,313.752
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
Units | ต่อหน่วย | Per Tube* |
---|---|---|
10 - 10 | THB2,162.385 | THB21,623.85 |
20 - 30 | THB2,097.514 | THB20,975.14 |
40 + | THB2,034.589 | THB20,345.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4578
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN360N15T2
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
- COO (Country of Origin):
- PH
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 310 A |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Series | GigaMOS TrenchT2 HiperFET |
Package Type | SOT-227 |
Mounting Type | Screw Mount |
Pin Count | 4 |
Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Power Dissipation | 1.07 kW |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Length | 38.23mm |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Width | 25.07mm |
Typical Gate Charge @ Vgs | 715 nC @ 10 V |
Height | 9.6mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Forward Diode Voltage | 1.2V |