IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T
- RS Stock No.:
- 168-4577
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN360N10T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB452.92
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*
THB7,548.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,076.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 790 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | THB754.85 | THB7,548.50 | - |
| 20 - 30 | THB732.204 | THB7,322.04 | THB452.92 |
| 40 + | THB710.238 | THB7,102.38 | THB1,784.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4577
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN360N10T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 360A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 525nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 25.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 38.23mm | |
| Height | 9.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 360A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series GigaMOS Trench HiperFET | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 525nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 25.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 38.23mm | ||
Height 9.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T
- IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Polar HiPerFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227