IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB8,949.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,576.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB894.986THB8,949.86
20 - 30THB868.136THB8,681.36
40 +THB842.092THB8,420.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4577
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFN360N10T
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง