IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 20 ชิ้น)*

THB35,925.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38,440.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
20 - 20THB1,796.265THB35,925.30
40 - 60THB1,742.377THB34,847.54
80 +THB1,690.105THB33,802.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
146-1770
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MMIX1F180N25T
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Length

25.25mm

Width

23.25mm

Height

5.7mm

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง