N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V, 24-Pin SMPD IXYS MMIX1F180N25T
- RS Stock No.:
- 146-1770
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F180N25T
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 21/01/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
ราคา / Price Each (In a Tube of 20)
THB1,383.549
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,480.397
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
Units | ต่อหน่วย | Per Tube* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | THB1,383.549 | THB27,670.98 |
| 40 - 60 | THB1,342.042 | THB26,840.84 |
| 80 + | THB1,301.781 | THB26,035.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-1770
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F180N25T
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
- COO (Country of Origin):
- DE
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 132 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Series | GigaMOS, HiperFET |
| Package Type | SMPD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 24 |
| Maximum Drain Source Resistance | 13 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 570 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Width | 23.25mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 364 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 25.25mm |
| Transistor Material | Si |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 5.7mm |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |